|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BUZ906PОсновные параметры полевого транзистора BUZ906P - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 120/60nS
- Входная емкость (Сiss): 734pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): - Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO247
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBUK455-200A |
MOSFET | N-Channel | 125W | 200V | | | 7A | | | 0.23 Ом | SOT78 | BUK465-200A |
MOSFET | N-Channel | 125W | 200V | | | 7A | | | 0.23 Ом | SOT404 | BUK555-200A |
MOSFET | N-Channel | 125W | 200V | | | 7A | | | 0.23 Ом | SOT78 | BUZ900 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 160V | | | 8A | - | 500pF | - Ом | TO3 | BUZ900P |
MOSFET | N-Channel | 125W | 160V | | | 8A | - | 500pF | - Ом | TO247 | BUZ901 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 200V | | | 8A | - | 500pF | - Ом | TO3 | BUZ901P |
MOSFET | N-Channel | 125W | 200V | | | 8A | - | 500pF | - Ом | TO247 | BUZ902 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 220V | | | 8A | - | - | - Ом | TO3 | BUZ902P |
MOSFET | N-Channel | 125W | 220V | | | 8A | - | - | - Ом | TO247 | BUZ905 |
MOSFET | P-Channel | 125W | 160V | | | 8A | 120/60nS | 734pF | - Ом | TO3 | BUZ905P |
MOSFET | P-Channel | 125W | 160V | | | 8A | 120/60nS | 734pF | - Ом | TO247 | BUZ906 |
MOSFET | P-Channel | 125W | 200V | | | 8A | 120/60nS | 734pF | - Ом | TO3 | BUZ907 |
MOSFET | P-Channel | 125W | 220V | | | 8A | - | - | - Ом | TO3 | BUZ907P |
MOSFET | P-Channel | 125W | 220V | | | 8A | - | - | - Ом | TO247 | IRF9642 |
MOSFET | P-Channel | 125W | 200V | | | 9A | 45/30nS | | | TO-220 | IRFP9242 |
MOSFET | P-Channel | 125W | 200V | | | 9A | | | | TO-3P | |
|
|
|