vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXFT60N25Q
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IXFT60N25Q

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 250V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 60A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.047 Ом
    • Производитель: IXYS
    • Тип корпуса: TO268
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT20M40BVR MOSFETN-Channel 200V 59A 0.040 ОмN/A
    IXFH50N20 MOSFETN-Channel 200V 50A 0.045 ОмTO247
    IXFH52N30Q MOSFETN-Channel 300V 52A 0.060 ОмTO247
    IXFH58N20 MOSFETN-Channel 200V 58A 0.04 ОмTO247
    IXFH58N20Q MOSFETN-Channel 200V 58A 0.04 ОмTO247
    IXFH60N25Q MOSFETN-Channel 250V 60A 0.047 ОмTO247
    IXFK52N30Q MOSFETN-Channel 300V 52A 0.060 ОмTO264
    IXFK60N25Q MOSFETN-Channel 250V 60A 0.047 ОмTO264
    IXFK72N20 MOSFETN-Channel 200V 72A 0.035 ОмTO264
    IXFM50N20 MOSFETN-Channel 200V 50A 0.045 ОмTO268
    IXFR58N20Q MOSFETN-Channel 200V 50A 0.04 ОмTO247
    IXFT52N30Q MOSFETN-Channel 300V 52A 0.060 ОмTO268
    IXFT58N20Q MOSFETN-Channel 200V 58A 0.04 ОмTO268
    IXTH50N20 MOSFETN-Channel 200V 50A 0.045 ОмTO247
    IXTH68N20 MOSFETN-Channel 200V 68A 0.035 ОмTO247
    IXTM50N20 MOSFETN-Channel 200V 50A 0.045 ОмTO204
    Яндекс.Метрика