|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML1002R4ANОсновные параметры полевого транзистора SML1002R4AN - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 198W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 28/82nS
- Входная емкость (Сiss): 1800pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.4 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO3
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBFC43 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 1000V | | | 4.4A | - | 805pF | 4.00 Ом | TO247 | BFC46 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 800V | | | 5.5A | - | 790pF | 2.50 Ом | TO247 | BUK438W-800A |
MOSFET | N-Channel | 220W | 800V | | | 4A | | | 1.5 Ом | SOT429 | BUK438W-800B |
MOSFET | N-Channel | 220W | 800V | | | 4A | | | 2 Ом | SOT429 | SDF6NA100 |
MOSFET | N-Channel | 200W | 1000V | | | 5.5A | | | 2.4 Ом | N/A | SML1002RAN |
MOSFET | N-Channel | 198W | 1000V | | | 6A | 28/82nS | 1800pF | 2 Ом | TO3 | SML1004R2BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 1000V | | | 4A | 23/50nS | 950pF | 4.2 Ом | TO247 | SML1004RBN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 1000V | | | 4.4A | 23/50nS | 950pF | 4 Ом | TO247 | SML802R4BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 800V | | | 5.5A | 20/53nS | 950pF | 2.4 Ом | TO247 | SML802R8BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 800V | | | 5A | 20/53nS | 950pF | 2.8 Ом | TO247 | SML802R8KN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 800V | | | 5A | 20/47nS | 950pF | 2.8 Ом | TO220 | SSH5N80A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 800V | | | 5A | 72nS | 1105pF | 2.2 Ом | TO-3P | SSH5N90A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 900V | | | 5A | 74nS | 1110pF | 2.9 Ом | TO-3P | SSH6N80AS |
MOSFET | N-Channel | 200W | 800V | | | 6A | 92nS | 1500pF | 2 Ом | TO-3P | SSH6N90A |
MOSFET | N-Channel | 200W | 900V | | | 6A | 95nS | 1560pF | 2.3 Ом | TO-3P | SSP6N80A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 800V | | | 6A | 92nS | 1500pF | 2 Ом | TO-220 | SSP6N90A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 900V | | | 6A | 95nS | 1560pF | 2.3 Ом | TO-220 | |
|
|
|