vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML1002R4AN
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SML1002R4AN

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 198W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 28/82nS
    • Входная емкость (Сiss): 1800pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.4 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO3
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BFC43 MOSFETN-Channel180W1000V 4.4A-805pF4.00 ОмTO247
    BFC46 MOSFETN-Channel180W800V 5.5A-790pF2.50 ОмTO247
    BUK438W-800A MOSFETN-Channel220W800V 4A 1.5 ОмSOT429
    BUK438W-800B MOSFETN-Channel220W800V 4A 2 ОмSOT429
    SDF6NA100 MOSFETN-Channel200W1000V 5.5A 2.4 ОмN/A
    SML1002RAN MOSFETN-Channel198W1000V 6A28/82nS1800pF2 ОмTO3
    SML1004R2BN MOSFETN-Channel180W1000V 4A23/50nS950pF4.2 ОмTO247
    SML1004RBN MOSFETN-Channel180W1000V 4.4A23/50nS950pF4 ОмTO247
    SML802R4BN MOSFETN-Channel180W800V 5.5A20/53nS950pF2.4 ОмTO247
    SML802R8BN MOSFETN-Channel180W800V 5A20/53nS950pF2.8 ОмTO247
    SML802R8KN MOSFETN-Channel180W800V 5A20/47nS950pF2.8 ОмTO220
    SSH5N80A MOSFETN-Channel160W800V 5A72nS1105pF2.2 ОмTO-3P
    SSH5N90A MOSFETN-Channel160W900V 5A74nS1110pF2.9 ОмTO-3P
    SSH6N80AS MOSFETN-Channel200W800V 6A92nS1500pF2 ОмTO-3P
    SSH6N90A MOSFETN-Channel200W900V 6A95nS1560pF2.3 ОмTO-3P
    SSP6N80A MOSFETN-Channel160W800V 6A92nS1500pF2 ОмTO-220
    SSP6N90A MOSFETN-Channel160W900V 6A95nS1560pF2.3 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика