|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML1002R4BNОсновные параметры полевого транзистора SML1002R4BN - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 240W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 6.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 28/82nS
- Входная емкость (Сiss): 1800pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.4 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO247
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBFC42 |
MOSFET | N-Channel | 240W | 1000V | | | 7A | - | 1530pF | 2.00 Ом | TO247 | SDF6NA100 |
MOSFET | N-Channel | 200W | 1000V | | | 5.5A | | | 2.4 Ом | N/A | SML1002R4AN |
MOSFET | N-Channel | 198W | 1000V | | | 5.5A | 28/82nS | 1800pF | 2.4 Ом | TO3 | SML1002RAN |
MOSFET | N-Channel | 198W | 1000V | | | 6A | 28/82nS | 1800pF | 2 Ом | TO3 | SML1002RBN |
MOSFET | N-Channel | 240W | 1000V | | | 7A | 28/82nS | 1800pF | 2 Ом | TO247 | SML801R4AN |
MOSFET | N-Channel | 198W | 800V | | | 7.5A | 26/81nS | 1800pF | 1.4 Ом | TO3 | SSH6N80AS |
MOSFET | N-Channel | 200W | 800V | | | 6A | 92nS | 1500pF | 2 Ом | TO-3P | SSH6N90A |
MOSFET | N-Channel | 200W | 900V | | | 6A | 95nS | 1560pF | 2.3 Ом | TO-3P | SSH7N80A |
MOSFET | N-Channel | 200W | 800V | | | 7A | 92nS | 1500pF | 1.8 Ом | TO-3P | SSH7N90A |
MOSFET | N-Channel | 240W | 900V | | | 7A | 130nS | 2070pF | 1.8 Ом | TO-3P | |
|
|
|