vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML1002R4BN
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SML1002R4BN

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 240W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 6.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 28/82nS
    • Входная емкость (Сiss): 1800pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.4 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO247
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BFC42 MOSFETN-Channel240W1000V 7A-1530pF2.00 ОмTO247
    SDF6NA100 MOSFETN-Channel200W1000V 5.5A 2.4 ОмN/A
    SML1002R4AN MOSFETN-Channel198W1000V 5.5A28/82nS1800pF2.4 ОмTO3
    SML1002RAN MOSFETN-Channel198W1000V 6A28/82nS1800pF2 ОмTO3
    SML1002RBN MOSFETN-Channel240W1000V 7A28/82nS1800pF2 ОмTO247
    SML801R4AN MOSFETN-Channel198W800V 7.5A26/81nS1800pF1.4 ОмTO3
    SSH6N80AS MOSFETN-Channel200W800V 6A92nS1500pF2 ОмTO-3P
    SSH6N90A MOSFETN-Channel200W900V 6A95nS1560pF2.3 ОмTO-3P
    SSH7N80A MOSFETN-Channel200W800V 7A92nS1500pF1.8 ОмTO-3P
    SSH7N90A MOSFETN-Channel240W900V 7A130nS2070pF1.8 ОмTO-3P
    Яндекс.Метрика