vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSH6N70A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SSH6N70A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 140W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 700V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 6A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 54nS
    • Входная емкость (Сiss): 920pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.8 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6913 MOSFETN-channel125W800V 5.3A 5000pF2 ОмTO-3
    2N6913A MOSFETN-channel125W800V 6A 5000pF1.5 ОмTO-3
    BFC63 MOSFETN-Channel125W600V 6.5A-764pF1.30 ОмTO220
    IRFBC42 MOSFETN-Channel125W600V 5.4A47/119nS TO-220
    SML601R3AN MOSFETN-Channel150W600V 6.5A20/49nS950pF1.3 ОмTO3
    SML601R3CN MOSFETN-Channel125W600V 6.5A20/54nS950pF1.3 ОмTO254
    SML601R6AN MOSFETN-Channel150W600V 6A20/49nS950pF1.6 ОмTO3
    SML601R6CN MOSFETN-Channel125W600V 5.5A20/54nS950pF1.6 ОмTO254
    SML801R2CN MOSFETN-Channel150W800V 7A24/78nS1800pF1.2 ОмTO254
    SML801R4CN MOSFETN-Channel150W800V 6.5A24/78nS1800pF1.4 ОмTO254
    SML802R4AN MOSFETN-Channel150W800V 5A20/53nS950pF2.4 ОмTO3G
    SSH5N80A MOSFETN-Channel160W800V 5A72nS1105pF2.2 ОмTO-3P
    SSH6N60 MOSFETN-Channel125W600V 6A TO-3P
    SSH6N70 MOSFETN-Channel125W700V 6A TO-3P
    SSH7N60A MOSFETN-Channel160W600V 7.3A65nS1150pF1.2 ОмTO-3P
    SSI5N80A MOSFETN-Channel140W800V 5A72nS1100pF2.2 ОмI2PAK
    SSI6N70A MOSFETN-Channel130W700V 6A54nS920pF1.8 ОмI2PAK
    SSI7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмI2PAK
    SSP5N80A MOSFETN-Channel140W800V 5A72nS1100pF2.2 ОмTO-220
    SSP6N60 MOSFETN-Channel125W600V 6A TO-220
    SSP6N70A MOSFETN-Channel130W700V 6A54nS920pF1.8 ОмTO-220
    SSP6N80A MOSFETN-Channel160W800V 6A92nS1500pF2 ОмTO-220
    SSP7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмTO-220
    SSP7N80A MOSFETN-Channel160W800V 7A92nS1500pF1.8 ОмTO-220
    SSW5N80A MOSFETN-Channel140W800V 5A72nS1100pF2.2 ОмTO-263
    SSW6N70A MOSFETN-Channel130W700V 6A54nS920pF1.8 ОмTO-263
    SSW7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмTO-263
    STP5N80 MOSFETN-Channel125W800V 5.5A 2.000 ОмTO-220
    STP6NA60 MOSFETN-Channel125W600V 6.5A 1.200 ОмTO-220
    STP6NA80 MOSFETN-Channel125W800V 5.7A 1.900 ОмTO-220
    STP7NA60 MOSFETN-Channel125W600V 7.2A 1.000 ОмTO-220
    STV7NA60 MOSFETN-Channel125W600V 6.5A 1.000 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика