|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSI6N70AОсновные параметры полевого транзистора SSI6N70A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 130W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 700V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 6A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 54nS
- Входная емкость (Сiss): 920pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.8 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: I2PAK
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N6913 |
MOSFET | N-channel | 125W | 800V | | | 5.3A | | 5000pF | 2 Ом | TO-3 | 2N6913A |
MOSFET | N-channel | 125W | 800V | | | 6A | | 5000pF | 1.5 Ом | TO-3 | BFC63 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 600V | | | 6.5A | - | 764pF | 1.30 Ом | TO220 | IRFBC42 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 600V | | | 5.4A | 47/119nS | | | TO-220 | SML601R3AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 6.5A | 20/49nS | 950pF | 1.3 Ом | TO3 | SML601R3CN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 600V | | | 6.5A | 20/54nS | 950pF | 1.3 Ом | TO254 | SML601R6AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 6A | 20/49nS | 950pF | 1.6 Ом | TO3 | SML601R6CN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 600V | | | 5.5A | 20/54nS | 950pF | 1.6 Ом | TO254 | SML801R2CN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 800V | | | 7A | 24/78nS | 1800pF | 1.2 Ом | TO254 | SML801R4CN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 800V | | | 6.5A | 24/78nS | 1800pF | 1.4 Ом | TO254 | SML802R4AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 800V | | | 5A | 20/53nS | 950pF | 2.4 Ом | TO3G | SSH6N60 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 600V | | | 6A | | | | TO-3P | SSH6N70 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 700V | | | 6A | | | | TO-3P | SSH6N70A |
MOSFET | N-Channel | 140W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | TO-3P | SSI5N80A |
MOSFET | N-Channel | 140W | 800V | | | 5A | 72nS | 1100pF | 2.2 Ом | I2PAK | SSI7N60A |
MOSFET | N-Channel | 147W | 600V | | | 7A | 65nS | 1150pF | 1.2 Ом | I2PAK | SSP5N80A |
MOSFET | N-Channel | 140W | 800V | | | 5A | 72nS | 1100pF | 2.2 Ом | TO-220 | SSP6N60 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 600V | | | 6A | | | | TO-220 | SSP6N70A |
MOSFET | N-Channel | 130W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | TO-220 | SSP7N60A |
MOSFET | N-Channel | 147W | 600V | | | 7A | 65nS | 1150pF | 1.2 Ом | TO-220 | SSW5N80A |
MOSFET | N-Channel | 140W | 800V | | | 5A | 72nS | 1100pF | 2.2 Ом | TO-263 | SSW6N70A |
MOSFET | N-Channel | 130W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | TO-263 | SSW7N60A |
MOSFET | N-Channel | 147W | 600V | | | 7A | 65nS | 1150pF | 1.2 Ом | TO-263 | STP5N80 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 5.5A | | | 2.000 Ом | TO-220 | STP5NA60 |
MOSFET | N-Channel | 110W | 600V | | | 5.3A | | | 1.600 Ом | TO-220 | STP6NA60 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 600V | | | 6.5A | | | 1.200 Ом | TO-220 | STP6NA80 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 5.7A | | | 1.900 Ом | TO-220 | STP7NA60 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 600V | | | 7.2A | | | 1.000 Ом | TO-220 | STV6NA60 |
MOSFET | N-Channel | 110W | 600V | | | 6.5A | | | 1.200 Ом | PowerSO-10 | STV7NA60 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 600V | | | 6.5A | | | 1.000 Ом | PowerSO-10 | |
|
|
|