vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STV4N100
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STV4N100

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 4A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 3.500 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: PowerSO-10
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6961 MOSFETN-channel125W1000V 4.6A140/100nS3500pF2.6 ОмTO-204
    APT802R4KN MOSFETN-Channel125W800V 4.7A38nS7902.400 ОмN/A
    BFC62 MOSFETN-Channel125W800V 4.7A-790pF2.40 ОмTO220
    SDF4N100JAA MOSFETN-Channel100W1000V 4A 3.5 ОмN/A
    SDF4N100JAB MOSFETN-Channel100W1000V 4A 3.5 ОмN/A
    SDF4N90JAA MOSFETN-Channel100W900V 4A 2.4 ОмN/A
    SDF4N90JAB MOSFETN-Channel100W900V 4A 2.4 ОмN/A
    SDF4NA100 MOSFETN-Channel150W1000V 4.4A 4 ОмN/A
    SDF4NA100SXH MOSFETN-Channel150W1000V 4.4A 4 ОмN/A
    SML802R4CN MOSFETN-Channel125W800V 4.5A20/53nS950pF2.4 ОмTO254
    SML802R4GN MOSFETN-Channel100W800V 4.3A20/53nS950pF2.4 ОмTO257
    SML802R4KN MOSFETN-Channel125W800V 4.7A20/53nS950pF2.4 ОмTO220
    SML802R8AN MOSFETN-Channel150W800V 4.5A20/53nS950pF2.8 ОмTO3
    SML802R8CN MOSFETN-Channel125W800V 4A20/53nS950pF2.8 ОмTO254
    SML802R8GN MOSFETN-Channel100W800V 4A20/53nS950pF2.8 ОмTO257
    SSH4N80AS MOSFETN-Channel140W800V 4.5A56nS880pF3 ОмTO-3P
    SSH4N90AS MOSFETN-Channel140W900V 4.5A57nS910pF3.7 ОмTO-3P
    SSI4N80A MOSFETN-Channel120W800V 4A44nS700pF4 ОмI2PAK
    SSI4N80AS MOSFETN-Channel130W800V 4.5A56nS880pF3 ОмI2PAK
    SSI4N90A MOSFETN-Channel120W900V 4A48nS730pF5 ОмI2PAK
    SSI4N90AS MOSFETN-Channel130W900V 4.5A57nS910pF3.7 ОмI2PAK
    SSP4N80A MOSFETN-Channel120W800V 4A44nS700pF4 ОмTO-220
    SSP4N80AS MOSFETN-Channel130W800V 4.5A56nS880pF3 ОмTO-220
    SSP4N90A MOSFETN-Channel120W900V 4A48nS730pF5 ОмTO-220
    SSP4N90AS MOSFETN-Channel130W900V 4.5A57nS910pF3.7 ОмTO-220
    SSW4N80A MOSFETN-Channel120W800V 4A44nS700pF4 ОмTO-263
    SSW4N80AS MOSFETN-Channel130W800V 4.5A56nS880pF3 ОмTO-263
    SSW4N90A MOSFETN-Channel120W900V 4A48nS730pF5 ОмTO-263
    SSW4N90AS MOSFETN-Channel130W900V 4.5A57nS910pF3.7 ОмTO-263
    STP4N100 MOSFETN-Channel125W1000V 4A 3.500 ОмTO-220
    STP5NA80 MOSFETN-Channel125W800V 4.8A 2.400 ОмTO-220
    STV5NA80 MOSFETN-Channel125W800V 4.7A 2.400 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика