vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STV7NA60
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STV7NA60

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 6.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.000 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: PowerSO-10
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BFC63 MOSFETN-Channel125W600V 6.5A-764pF1.30 ОмTO220
    BUP66 MOSFETN-Channel100W500V 5.16A--1.5 ОмTO3
    IRF842 MOSFETN-Channel125W500V 7A--1.1 ОмTO220
    IRFBC42 MOSFETN-Channel125W600V 5.4A47/119nS TO-220
    IRFP442 MOSFETN-Channel125W500V 7.A TO-3P
    SDF6N60JAA MOSFETN-Channel100W600V 6A 1.2 ОмN/A
    SDF6N60JAB MOSFETN-Channel100W600V 6A 1.2 ОмN/A
    SDFC40 MOSFETN-Channel100W600V 6.2A 1.2 ОмN/A
    SML501R1AN MOSFETN-Channel150W500V 7.5A20/48nS950pF1.1 ОмTO3
    SML501R1CN MOSFETN-Channel125W500V 7A18/52nS950pF1.1 ОмTO254
    SML501R1GN MOSFETN-Channel100W500V 6.5A18/52nS950pF1.1 ОмTO257
    SML5085GN MOSFETN-Channel100W500V 7A18/52nS950pF0.85 ОмTO257
    SML601R3AN MOSFETN-Channel150W600V 6.5A20/49nS950pF1.3 ОмTO3
    SML601R3CN MOSFETN-Channel125W600V 6.5A20/54nS950pF1.3 ОмTO254
    SML601R3GN MOSFETN-Channel100W600V 6A20/54nS950pF1.3 ОмTO257
    SML601R6AN MOSFETN-Channel150W600V 6A20/49nS950pF1.6 ОмTO3
    SML601R6CN MOSFETN-Channel125W600V 5.5A20/54nS950pF1.6 ОмTO254
    SML601R6GN MOSFETN-Channel100W600V 5A20/54nS950pF1.6 ОмTO257
    SSH6N55 MOSFETN-Channel125W550V 6A TO-3P
    SSH6N60 MOSFETN-Channel125W600V 6A TO-3P
    SSH6N70 MOSFETN-Channel125W700V 6A TO-3P
    SSH6N70A MOSFETN-Channel140W700V 6A54nS920pF1.8 ОмTO-3P
    SSI6N70A MOSFETN-Channel130W700V 6A54nS920pF1.8 ОмI2PAK
    SSI7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмI2PAK
    SSP6N55 MOSFETN-Channel125W550V 6A TO-220
    SSP6N60 MOSFETN-Channel125W600V 6A TO-220
    SSP6N70A MOSFETN-Channel130W700V 6A54nS920pF1.8 ОмTO-220
    SSP7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмTO-220
    SSW6N70A MOSFETN-Channel130W700V 6A54nS920pF1.8 ОмTO-263
    SSW7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмTO-263
    STP5N60 MOSFETN-Channel100W600V 5.6A 1.600 ОмTO-220
    STP5NA50 MOSFETN-Channel100W500V 5A 1.600 ОмTO-220
    STP5NA60 MOSFETN-Channel110W600V 5.3A 1.600 ОмTO-220
    STP6N50 MOSFETN-Channel100W500V 6A 1.100 ОмTO-220
    STP6NA60 MOSFETN-Channel125W600V 6.5A 1.200 ОмTO-220
    STP7NA60 MOSFETN-Channel125W600V 7.2A 1.000 ОмTO-220
    STV6NA60 MOSFETN-Channel110W600V 6.5A 1.200 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика