vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFBC42
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFBC42

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.4A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 47/119nS
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BFC63 MOSFETN-Channel125W600V 6.5A-764pF1.30 ОмTO220
    BUP66 MOSFETN-Channel100W500V 5.16A--1.5 ОмTO3
    BUP67 MOSFETN-Channel100W500V 4.47A--1.5 ОмTO3
    PHB8N50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT404
    PHB8ND50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT404
    PHP8N50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT78
    PHP8ND50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT78
    PHW8N50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT429
    PHW8ND50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT429
    SDF6N60JAA MOSFETN-Channel100W600V 6A 1.2 ОмN/A
    SDF6N60JAB MOSFETN-Channel100W600V 6A 1.2 ОмN/A
    SDFC40 MOSFETN-Channel100W600V 6.2A 1.2 ОмN/A
    SML501R1GN MOSFETN-Channel100W500V 6.5A18/52nS950pF1.1 ОмTO257
    SML601R3AN MOSFETN-Channel150W600V 6.5A20/49nS950pF1.3 ОмTO3
    SML601R3CN MOSFETN-Channel125W600V 6.5A20/54nS950pF1.3 ОмTO254
    SML601R3GN MOSFETN-Channel100W600V 6A20/54nS950pF1.3 ОмTO257
    SML601R6AN MOSFETN-Channel150W600V 6A20/49nS950pF1.6 ОмTO3
    SML601R6CN MOSFETN-Channel125W600V 5.5A20/54nS950pF1.6 ОмTO254
    SML601R6GN MOSFETN-Channel100W600V 5A20/54nS950pF1.6 ОмTO257
    SSH4N70 MOSFETN-Channel125W700V 4A TO-3P
    SSH4N70A MOSFETN-Channel125W700V 4A TO-3P
    SSH6N55 MOSFETN-Channel125W550V 6A TO-3P
    SSH6N60 MOSFETN-Channel125W600V 6A TO-3P
    SSH6N70 MOSFETN-Channel125W700V 6A TO-3P
    SSH6N70A MOSFETN-Channel140W700V 6A54nS920pF1.8 ОмTO-3P
    SSI4N60A MOSFETN-Channel100W600V 4A34nS545pF2.5 ОмI2PAK
    SSI6N70A MOSFETN-Channel130W700V 6A54nS920pF1.8 ОмI2PAK
    SSP4N60AS MOSFETN-Channel100W600V 4A34nS545pF2.5 ОмTO-220
    SSP4N70 MOSFETN-Channel125W700V 4A TO-220
    SSP4N70A MOSFETN-Channel125W700V 4A TO-220
    SSP6N55 MOSFETN-Channel125W550V 6A TO-220
    SSP6N60 MOSFETN-Channel125W600V 6A TO-220
    SSP6N70A MOSFETN-Channel130W700V 6A54nS920pF1.8 ОмTO-220
    SSW4N60A MOSFETN-Channel100W600V 4A34nS545pF2.5 ОмTO-263
    SSW6N70A MOSFETN-Channel130W700V 6A54nS920pF1.8 ОмTO-263
    STP4NA60 MOSFETN-Channel100W600V 4.3A 2.200 ОмTO-220
    STP5N50 MOSFETN-Channel100W500V 4.5A 1.600 ОмTO-220
    STP5N60 MOSFETN-Channel100W600V 5.6A 1.600 ОмTO-220
    STP5NA50 MOSFETN-Channel100W500V 5A 1.600 ОмTO-220
    STP5NA60 MOSFETN-Channel110W600V 5.3A 1.600 ОмTO-220
    STP6N50 MOSFETN-Channel100W500V 6A 1.100 ОмTO-220
    STP6NA60 MOSFETN-Channel125W600V 6.5A 1.200 ОмTO-220
    STV4NA60 MOSFETN-Channel100W600V 4.4A 2.200 ОмPowerSO-10
    STV5NA50 MOSFETN-Channel100W500V 4.5A 1.600 ОмPowerSO-10
    STV6NA60 MOSFETN-Channel110W600V 6.5A 1.200 ОмPowerSO-10
    STV7NA60 MOSFETN-Channel125W600V 6.5A 1.000 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика