vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора PHX2N60E
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора PHX2N60E

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 25W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.3A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 6 1 Ом
    • Производитель: PHILIPS
    • Тип корпуса: SOT186A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6794 MOSFETN-channel20W500V 1.5A30/30nS600pF3 ОмTO-205AF
    2N6794JANT MOSFETN-Channel20W500V 1.5A30/30nS600pF3 ОмTO-205AF
    2N6794JANTX MOSFETN-channel20W500V 1.5A30/30nS600pF3 ОмTO-205AF
    2N6794JANTXV MOSFETN-channel20W500V 1.5A30/30nS600pF3 ОмTO-205AF
    2N6794SM MOSFETN-Channel20W500V 1.5A--4.5 ОмTO220SM
    IRFF420 MOSFETN-Channel20W500V 1.5A40/60nS350pF3.45 ОмTO39
    PHX2N50E MOSFETN-Channel25W500V 1A 5 ОмSOT186A
    PHX3N50E MOSFETN-Channel30W500V 1.7A 3 ОмSOT186A
    PHX3N60E MOSFETN-Channel30W600V 1.4A 4.4 ОмSOT186A
    SSR1N50A MOSFETN-Channel26W500V 1.3A16nS220pF5.5 ОмDPAK
    SSS1N50A MOSFETN-Channel23W500V 1.2A16nS220pF5.5 ОмTO-220F
    SSS2N60A MOSFETN-Channel23W600V 1.3A21nS315pF5 ОмTO-220F
    SSU1N50A MOSFETN-Channel26W500V 1.3A16nS220pF5.5 ОмIPAK
    STP3N50XI MOSFETN-Channel25W500V 1.7A 4.000 ОмISOWATT221
    Яндекс.Метрика