|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STP3N50XIОсновные параметры полевого транзистора STP3N50XI - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 25W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.7A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 4.000 Ом
- Производитель: STE
- Тип корпуса: ISOWATT221
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N6793 |
MOSFET | N-Channel | 20W | 450V | | | 1.5A | 30/30nS | 600pF | 3 Ом | TO-205AF | 2N6793-SM |
MOSFET | N-Channel | 20W | 450V | | | 1.5A | - | - | 4.5 Ом | TO220SM | 2N6793LCC4 |
MOSFET | N-Channel | 20W | 450V | | | 1.5A | - | - | 4.5 Ом | LCC4 | 2N6794 |
MOSFET | N-channel | 20W | 500V | | | 1.5A | 30/30nS | 600pF | 3 Ом | TO-205AF | 2N6794JANT |
MOSFET | N-Channel | 20W | 500V | | | 1.5A | 30/30nS | 600pF | 3 Ом | TO-205AF | 2N6794JANTX |
MOSFET | N-channel | 20W | 500V | | | 1.5A | 30/30nS | 600pF | 3 Ом | TO-205AF | 2N6794JANTXV |
MOSFET | N-channel | 20W | 500V | | | 1.5A | 30/30nS | 600pF | 3 Ом | TO-205AF | 2N6794SM |
MOSFET | N-Channel | 20W | 500V | | | 1.5A | - | - | 4.5 Ом | TO220SM | IRFF420 |
MOSFET | N-Channel | 20W | 500V | | | 1.5A | 40/60nS | 350pF | 3.45 Ом | TO39 | IRFR310A |
MOSFET | N-Channel | 26W | 400V | | | 1.7A | 14nS | 215pF | 3.6 Ом | DPAK | IRFS710A |
MOSFET | N-Channel | 23W | 400V | | | 1.6A | 14nS | 215pF | 3.6 Ом | TO-220F | IRFU310A |
MOSFET | N-Channel | 26W | 400V | | | 1.7A | 14nS | 215pF | 3.6 Ом | IPAK | PHX2N50E |
MOSFET | N-Channel | 25W | 500V | | | 1A | | | 5 Ом | SOT186A | PHX2N60E |
MOSFET | N-Channel | 25W | 600V | | | 1.3A | | | 6 1 Ом | SOT186A | PHX3N40E |
MOSFET | N-Channel | 25W | 400V | | | 1.25A | | | 3.5 Ом | SOT186A | PHX3N50E |
MOSFET | N-Channel | 30W | 500V | | | 1.7A | | | 3 Ом | SOT186A | PHX3N60E |
MOSFET | N-Channel | 30W | 600V | | | 1.4A | | | 4.4 Ом | SOT186A | SSR1N50A |
MOSFET | N-Channel | 26W | 500V | | | 1.3A | 16nS | 220pF | 5.5 Ом | DPAK | SSS1N50A |
MOSFET | N-Channel | 23W | 500V | | | 1.2A | 16nS | 220pF | 5.5 Ом | TO-220F | SSS2N60A |
MOSFET | N-Channel | 23W | 600V | | | 1.3A | 21nS | 315pF | 5 Ом | TO-220F | SSU1N50A |
MOSFET | N-Channel | 26W | 500V | | | 1.3A | 16nS | 220pF | 5.5 Ом | IPAK | |
|
|
|