|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSU1N50AОсновные параметры полевого транзистора SSU1N50A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 26W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.3A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 16nS
- Входная емкость (Сiss): 220pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 5.5 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: IPAK
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRFR310A |
MOSFET | N-Channel | 26W | 400V | | | 1.7A | 14nS | 215pF | 3.6 Ом | DPAK | IRFS710A |
MOSFET | N-Channel | 23W | 400V | | | 1.6A | 14nS | 215pF | 3.6 Ом | TO-220F | IRFU310A |
MOSFET | N-Channel | 26W | 400V | | | 1.7A | 14nS | 215pF | 3.6 Ом | IPAK | PHX2N50E |
MOSFET | N-Channel | 25W | 500V | | | 1A | | | 5 Ом | SOT186A | PHX2N60E |
MOSFET | N-Channel | 25W | 600V | | | 1.3A | | | 6 1 Ом | SOT186A | PHX3N40E |
MOSFET | N-Channel | 25W | 400V | | | 1.25A | | | 3.5 Ом | SOT186A | PHX3N50E |
MOSFET | N-Channel | 30W | 500V | | | 1.7A | | | 3 Ом | SOT186A | PHX3N60E |
MOSFET | N-Channel | 30W | 600V | | | 1.4A | | | 4.4 Ом | SOT186A | SSR1N50A |
MOSFET | N-Channel | 26W | 500V | | | 1.3A | 16nS | 220pF | 5.5 Ом | DPAK | SSS1N50A |
MOSFET | N-Channel | 23W | 500V | | | 1.2A | 16nS | 220pF | 5.5 Ом | TO-220F | SSS2N60A |
MOSFET | N-Channel | 23W | 600V | | | 1.3A | 21nS | 315pF | 5 Ом | TO-220F | STP3N50XI |
MOSFET | N-Channel | 25W | 500V | | | 1.7A | | | 4.000 Ом | ISOWATT221 | |
|
|
|