vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSU1N50A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SSU1N50A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 26W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.3A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 16nS
    • Входная емкость (Сiss): 220pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 5.5 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: IPAK
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRFR310A MOSFETN-Channel26W400V 1.7A14nS215pF3.6 ОмDPAK
    IRFS710A MOSFETN-Channel23W400V 1.6A14nS215pF3.6 ОмTO-220F
    IRFU310A MOSFETN-Channel26W400V 1.7A14nS215pF3.6 ОмIPAK
    PHX2N50E MOSFETN-Channel25W500V 1A 5 ОмSOT186A
    PHX2N60E MOSFETN-Channel25W600V 1.3A 6 1 ОмSOT186A
    PHX3N40E MOSFETN-Channel25W400V 1.25A 3.5 ОмSOT186A
    PHX3N50E MOSFETN-Channel30W500V 1.7A 3 ОмSOT186A
    PHX3N60E MOSFETN-Channel30W600V 1.4A 4.4 ОмSOT186A
    SSR1N50A MOSFETN-Channel26W500V 1.3A16nS220pF5.5 ОмDPAK
    SSS1N50A MOSFETN-Channel23W500V 1.2A16nS220pF5.5 ОмTO-220F
    SSS2N60A MOSFETN-Channel23W600V 1.3A21nS315pF5 ОмTO-220F
    STP3N50XI MOSFETN-Channel25W500V 1.7A 4.000 ОмISOWATT221
    Яндекс.Метрика