|
|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFP440AОсновные параметры полевого транзистора IRFP440A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 162W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 8.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 74nS
- Входная емкость (Сiss): 1190pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.85 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-3P
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
| Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус| BFC49 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 600V | | | 7.5A | - | 764pF | 1.30 Ом | TO247 | | BFC52 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | | | 9.5A | - | 740pF | 0.85 Ом | TO247 | | BUP69 |
MOSFET | N-Channel | 175W | 400V | | | 7.93A | - | - | 1.0 Ом | TO3 | | IRFI840A |
MOSFET | N-Channel | 134W | 500V | | | 8A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | I2PAK | | IRFW840A |
MOSFET | N-Channel | 134W | 500V | | | 8A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | TO-263 | | PHW14N50E |
MOSFET | N-Channel | 192W | 500V | | | 7A | | | 0.4 Ом | SOT429 | | SML4080AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 400V | | | 9A | 20/49nS | 950pF | 0.8 Ом | TO3 | | SML501R1AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 7.5A | 20/48nS | 950pF | 1.1 Ом | TO3 | | SML501R1BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | | | 9A | 20/48nS | 950pF | 1.1 Ом | TO247 | | SML5085AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 8.5A | 20/48nS | 950pF | 0.85 Ом | TO3 | | SML5085BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | | | 9.5A | 20/48nS | 950pF | 0.85 Ом | TO247 | | SML601R3BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 600V | | | 7.5A | 20/49nS | 950pF | 1.3 Ом | TO247 | | SML601R3KN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 600V | | | 7.5A | 20/47nS | 950pF | 1.3 Ом | TO220 | | SML6070CN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 9.5A | 26/70nS | 1800pF | 0.7 Ом | TO254 | | SSH7N60A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 600V | | | 7.3A | 65nS | 1150pF | 1.2 Ом | TO-3P | | SSH8N55 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 550V | | | 8A | | | | TO-3P | | SSH8N60 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 8A | | | | TO-3P | | SSI7N60A |
MOSFET | N-Channel | 147W | 600V | | | 7A | 65nS | 1150pF | 1.2 Ом | I2PAK | | SSP10N60A |
MOSFET | N-Channel | 156W | 600V | | | 9A | 95nS | 1750pF | 0.8 Ом | TO-220 | | SSP7N60A |
MOSFET | N-Channel | 147W | 600V | | | 7A | 65nS | 1150pF | 1.2 Ом | TO-220 | | SSW7N60A |
MOSFET | N-Channel | 147W | 600V | | | 7A | 65nS | 1150pF | 1.2 Ом | TO-263 | | STH10NA50 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 9.6A | | | | TO-218 | |
|
|
|