vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFP440A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFP440A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 162W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 8.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 74nS
    • Входная емкость (Сiss): 1190pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.85 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BFC49 MOSFETN-Channel180W600V 7.5A-764pF1.30 ОмTO247
    BFC52 MOSFETN-Channel180W500V 9.5A-740pF0.85 ОмTO247
    BUP69 MOSFETN-Channel175W400V 7.93A--1.0 ОмTO3
    IRFI840A MOSFETN-Channel134W500V 8A74nS1190pF0.85 ОмI2PAK
    IRFW840A MOSFETN-Channel134W500V 8A74nS1190pF0.85 ОмTO-263
    PHW14N50E MOSFETN-Channel192W500V 7A 0.4 ОмSOT429
    SML4080AN MOSFETN-Channel150W400V 9A20/49nS950pF0.8 ОмTO3
    SML501R1AN MOSFETN-Channel150W500V 7.5A20/48nS950pF1.1 ОмTO3
    SML501R1BN MOSFETN-Channel180W500V 9A20/48nS950pF1.1 ОмTO247
    SML5085AN MOSFETN-Channel150W500V 8.5A20/48nS950pF0.85 ОмTO3
    SML5085BN MOSFETN-Channel180W500V 9.5A20/48nS950pF0.85 ОмTO247
    SML601R3BN MOSFETN-Channel180W600V 7.5A20/49nS950pF1.3 ОмTO247
    SML601R3KN MOSFETN-Channel180W600V 7.5A20/47nS950pF1.3 ОмTO220
    SML6070CN MOSFETN-Channel150W600V 9.5A26/70nS1800pF0.7 ОмTO254
    SSH7N60A MOSFETN-Channel160W600V 7.3A65nS1150pF1.2 ОмTO-3P
    SSH8N55 MOSFETN-Channel150W550V 8A TO-3P
    SSH8N60 MOSFETN-Channel150W600V 8A TO-3P
    SSI7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмI2PAK
    SSP10N60A MOSFETN-Channel156W600V 9A95nS1750pF0.8 ОмTO-220
    SSP7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмTO-220
    SSW7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмTO-263
    STH10NA50 MOSFETN-Channel150W500V 9.6A TO-218
    Яндекс.Метрика