vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSP10N60A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SSP10N60A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 156W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 9A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 95nS
    • Входная емкость (Сiss): 1750pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.8 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6912 MOSFETN-channel125W500V 9A 4900pF0.8 ОмTO-3
    2N6914 MOSFETN-channel125W500V 9.6A 4900pF0.6 ОмTO-3
    2N6914A MOSFETN-channel125W500V 8.3A 4900pF0.8 ОмTO-3
    2N6914B MOSFETN-channel125W500V 10A 4900pF0.5 ОмTO-3
    2N7220 MOSFETN-Channel125W500V 8A21/72nS1300pF0.85 ОмTO254
    BFC52 MOSFETN-Channel180W500V 9.5A-740pF0.85 ОмTO247
    BUZ45 MOSFETN-Channel125W500V 9.6A--0.6 ОмTO3
    BUZ45A MOSFETN-Channel125W500V 8.3A--0.8 ОмTO3
    IRF440 MOSFETN-Channel125W500V 8A30/80nS610pF1.8 ОмTO3
    IRFI840A MOSFETN-Channel134W500V 8A74nS1190pF0.85 ОмI2PAK
    IRFM440 MOSFETN-Channel125W500V 8A21/72nS1300pF0.85 ОмTO254
    IRFP440A MOSFETN-Channel162W500V 8.5A74nS1190pF0.85 ОмTO-3P
    IRFW840A MOSFETN-Channel134W500V 8A74nS1190pF0.85 ОмTO-263
    SDF10N60 MOSFETN-Channel150W600V 10A 0.6 ОмN/A
    SML501R1BN MOSFETN-Channel180W500V 9A20/48nS950pF1.1 ОмTO247
    SML5085AN MOSFETN-Channel150W500V 8.5A20/48nS950pF0.85 ОмTO3
    SML5085BN MOSFETN-Channel180W500V 9.5A20/48nS950pF0.85 ОмTO247
    SML5085CN MOSFETN-Channel125W500V 8A18/52nS950pF0.85 ОмTO254
    SML6060CN MOSFETN-Channel150W600V 10.5A26/70nS1800pF0.6 ОмTO254
    SML6070CN MOSFETN-Channel150W600V 9.5A26/70nS1800pF0.7 ОмTO254
    SSH10N70 MOSFETN-Channel150W700V 10A TO-3P
    SSH10N70A MOSFETN-Channel150W700V 10A TO-3P
    SSH8N55 MOSFETN-Channel150W550V 8A TO-3P
    SSH8N60 MOSFETN-Channel150W600V 8A TO-3P
    STH10NA50 MOSFETN-Channel150W500V 9.6A TO-218
    STP8NA50 MOSFETN-Channel125W500V 8A 0.850 ОмTO-220
    STP9NA50 MOSFETN-Channel125W500V 8.8A 0.800 ОмTO-220
    STV8NA50 MOSFETN-Channel125W500V 8A 0.850 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика