|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSP10N60AОсновные параметры полевого транзистора SSP10N60A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 156W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 9A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 95nS
- Входная емкость (Сiss): 1750pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.8 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N6912 |
MOSFET | N-channel | 125W | 500V | | | 9A | | 4900pF | 0.8 Ом | TO-3 | 2N6914 |
MOSFET | N-channel | 125W | 500V | | | 9.6A | | 4900pF | 0.6 Ом | TO-3 | 2N6914A |
MOSFET | N-channel | 125W | 500V | | | 8.3A | | 4900pF | 0.8 Ом | TO-3 | 2N6914B |
MOSFET | N-channel | 125W | 500V | | | 10A | | 4900pF | 0.5 Ом | TO-3 | 2N7220 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | 21/72nS | 1300pF | 0.85 Ом | TO254 | BFC52 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | | | 9.5A | - | 740pF | 0.85 Ом | TO247 | BUZ45 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 9.6A | - | - | 0.6 Ом | TO3 | BUZ45A |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8.3A | - | - | 0.8 Ом | TO3 | IRF440 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | 30/80nS | 610pF | 1.8 Ом | TO3 | IRFI840A |
MOSFET | N-Channel | 134W | 500V | | | 8A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | I2PAK | IRFM440 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | 21/72nS | 1300pF | 0.85 Ом | TO254 | IRFP440A |
MOSFET | N-Channel | 162W | 500V | | | 8.5A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | TO-3P | IRFW840A |
MOSFET | N-Channel | 134W | 500V | | | 8A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | TO-263 | SDF10N60 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 10A | | | 0.6 Ом | N/A | SML501R1BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | | | 9A | 20/48nS | 950pF | 1.1 Ом | TO247 | SML5085AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 8.5A | 20/48nS | 950pF | 0.85 Ом | TO3 | SML5085BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | | | 9.5A | 20/48nS | 950pF | 0.85 Ом | TO247 | SML5085CN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | 18/52nS | 950pF | 0.85 Ом | TO254 | SML6060CN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 10.5A | 26/70nS | 1800pF | 0.6 Ом | TO254 | SML6070CN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 9.5A | 26/70nS | 1800pF | 0.7 Ом | TO254 | SSH10N70 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 700V | | | 10A | | | | TO-3P | SSH10N70A |
MOSFET | N-Channel | 150W | 700V | | | 10A | | | | TO-3P | SSH8N55 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 550V | | | 8A | | | | TO-3P | SSH8N60 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 8A | | | | TO-3P | STH10NA50 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 9.6A | | | | TO-218 | STP8NA50 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | | | 0.850 Ом | TO-220 | STP9NA50 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8.8A | | | 0.800 Ом | TO-220 | STV8NA50 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | | | 0.850 Ом | PowerSO-10 | |
|
|
|