vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSH8N55
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SSH8N55

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 550V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6912 MOSFETN-channel125W500V 9A 4900pF0.8 ОмTO-3
    2N6914 MOSFETN-channel125W500V 9.6A 4900pF0.6 ОмTO-3
    2N6914A MOSFETN-channel125W500V 8.3A 4900pF0.8 ОмTO-3
    2N7220 MOSFETN-Channel125W500V 8A21/72nS1300pF0.85 ОмTO254
    BFC49 MOSFETN-Channel180W600V 7.5A-764pF1.30 ОмTO247
    BFC52 MOSFETN-Channel180W500V 9.5A-740pF0.85 ОмTO247
    BUZ45 MOSFETN-Channel125W500V 9.6A--0.6 ОмTO3
    BUZ45A MOSFETN-Channel125W500V 8.3A--0.8 ОмTO3
    IRF440 MOSFETN-Channel125W500V 8A30/80nS610pF1.8 ОмTO3
    IRF842 MOSFETN-Channel125W500V 7A--1.1 ОмTO220
    IRF843 MOSFETN-Channel125W450V 7A--1.1 ОмTO220
    IRFI840A MOSFETN-Channel134W500V 8A74nS1190pF0.85 ОмI2PAK
    IRFM440 MOSFETN-Channel125W500V 8A21/72nS1300pF0.85 ОмTO254
    IRFP440A MOSFETN-Channel162W500V 8.5A74nS1190pF0.85 ОмTO-3P
    IRFP441 MOSFETN-Channel125W450V 8.A TO-3P
    IRFP442 MOSFETN-Channel125W500V 7.A TO-3P
    IRFP443 MOSFETN-Channel125W450V 7.A TO-3P
    IRFW840A MOSFETN-Channel134W500V 8A74nS1190pF0.85 ОмTO-263
    SML501R1AN MOSFETN-Channel150W500V 7.5A20/48nS950pF1.1 ОмTO3
    SML501R1BN MOSFETN-Channel180W500V 9A20/48nS950pF1.1 ОмTO247
    SML501R1CN MOSFETN-Channel125W500V 7A18/52nS950pF1.1 ОмTO254
    SML5085AN MOSFETN-Channel150W500V 8.5A20/48nS950pF0.85 ОмTO3
    SML5085BN MOSFETN-Channel180W500V 9.5A20/48nS950pF0.85 ОмTO247
    SML5085CN MOSFETN-Channel125W500V 8A18/52nS950pF0.85 ОмTO254
    SML601R3BN MOSFETN-Channel180W600V 7.5A20/49nS950pF1.3 ОмTO247
    SML601R3KN MOSFETN-Channel180W600V 7.5A20/47nS950pF1.3 ОмTO220
    SML6070CN MOSFETN-Channel150W600V 9.5A26/70nS1800pF0.7 ОмTO254
    SSH7N60A MOSFETN-Channel160W600V 7.3A65nS1150pF1.2 ОмTO-3P
    SSH8N60 MOSFETN-Channel150W600V 8A TO-3P
    SSI7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмI2PAK
    SSP10N60A MOSFETN-Channel156W600V 9A95nS1750pF0.8 ОмTO-220
    SSP7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмTO-220
    SSW7N60A MOSFETN-Channel147W600V 7A65nS1150pF1.2 ОмTO-263
    STH10NA50 MOSFETN-Channel150W500V 9.6A TO-218
    STP7NA60 MOSFETN-Channel125W600V 7.2A 1.000 ОмTO-220
    STP8NA50 MOSFETN-Channel125W500V 8A 0.850 ОмTO-220
    STP9NA50 MOSFETN-Channel125W500V 8.8A 0.800 ОмTO-220
    STV8NA50 MOSFETN-Channel125W500V 8A 0.850 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика