|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSH7N60AОсновные параметры полевого транзистора SSH7N60A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 160W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 7.3A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 65nS
- Входная емкость (Сiss): 1150pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.2 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-3P
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBFC49 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 600V | | | 7.5A | - | 764pF | 1.30 Ом | TO247 | BUP71 |
MOSFET | N-Channel | 175W | 500V | | | 6.48A | 15/50nS | 640pF | 1.5 Ом | TO3 | IRFI840A |
MOSFET | N-Channel | 134W | 500V | | | 8A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | I2PAK | IRFP440A |
MOSFET | N-Channel | 162W | 500V | | | 8.5A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | TO-3P | IRFW840A |
MOSFET | N-Channel | 134W | 500V | | | 8A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | TO-263 | PHW14N50E |
MOSFET | N-Channel | 192W | 500V | | | 7A | | | 0.4 Ом | SOT429 | SML501R1AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 7.5A | 20/48nS | 950pF | 1.1 Ом | TO3 | SML5085AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 8.5A | 20/48nS | 950pF | 0.85 Ом | TO3 | SML601R3AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 6.5A | 20/49nS | 950pF | 1.3 Ом | TO3 | SML601R3BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 600V | | | 7.5A | 20/49nS | 950pF | 1.3 Ом | TO247 | SML601R3KN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 600V | | | 7.5A | 20/47nS | 950pF | 1.3 Ом | TO220 | SML601R6AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 6A | 20/49nS | 950pF | 1.6 Ом | TO3 | SML601R6BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 600V | | | 6.5A | 20/49nS | 950pF | 1.6 Ом | TO247 | SML601R6KN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 600V | | | 6.5A | 20/47nS | 950pF | 1.6 Ом | TO220 | SSH6N70A |
MOSFET | N-Channel | 140W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | TO-3P | SSH8N55 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 550V | | | 8A | | | | TO-3P | SSH8N60 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 8A | | | | TO-3P | SSI6N70A |
MOSFET | N-Channel | 130W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | I2PAK | SSI7N60A |
MOSFET | N-Channel | 147W | 600V | | | 7A | 65nS | 1150pF | 1.2 Ом | I2PAK | SSP6N70A |
MOSFET | N-Channel | 130W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | TO-220 | SSP7N60A |
MOSFET | N-Channel | 147W | 600V | | | 7A | 65nS | 1150pF | 1.2 Ом | TO-220 | SSW6N70A |
MOSFET | N-Channel | 130W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | TO-263 | SSW7N60A |
MOSFET | N-Channel | 147W | 600V | | | 7A | 65nS | 1150pF | 1.2 Ом | TO-263 | |
|
|
|