Основные параметры полевого транзистора SSH8N60

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Производитель: SAMSUNG
Тип корпуса: TO-3P
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
2N6912	MOSFET	N-channel	125W	500V			9A		4900pF	0.8 Ом	TO-3
2N6914	MOSFET	N-channel	125W	500V			9.6A		4900pF	0.6 Ом	TO-3
2N6914A	MOSFET	N-channel	125W	500V			8.3A		4900pF	0.8 Ом	TO-3
2N7220	MOSFET	N-Channel	125W	500V			8A	21/72nS	1300pF	0.85 Ом	TO254
BFC49	MOSFET	N-Channel	180W	600V			7.5A	-	764pF	1.30 Ом	TO247
BFC52	MOSFET	N-Channel	180W	500V			9.5A	-	740pF	0.85 Ом	TO247
BUZ45	MOSFET	N-Channel	125W	500V			9.6A	-	-	0.6 Ом	TO3
BUZ45A	MOSFET	N-Channel	125W	500V			8.3A	-	-	0.8 Ом	TO3
IRF440	MOSFET	N-Channel	125W	500V			8A	30/80nS	610pF	1.8 Ом	TO3
IRF842	MOSFET	N-Channel	125W	500V			7A	-	-	1.1 Ом	TO220
IRFI840A	MOSFET	N-Channel	134W	500V			8A	74nS	1190pF	0.85 Ом	I2PAK
IRFM440	MOSFET	N-Channel	125W	500V			8A	21/72nS	1300pF	0.85 Ом	TO254
IRFP440A	MOSFET	N-Channel	162W	500V			8.5A	74nS	1190pF	0.85 Ом	TO-3P
IRFP442	MOSFET	N-Channel	125W	500V			7.A				TO-3P
IRFW840A	MOSFET	N-Channel	134W	500V			8A	74nS	1190pF	0.85 Ом	TO-263
SML501R1AN	MOSFET	N-Channel	150W	500V			7.5A	20/48nS	950pF	1.1 Ом	TO3
SML501R1BN	MOSFET	N-Channel	180W	500V			9A	20/48nS	950pF	1.1 Ом	TO247
SML501R1CN	MOSFET	N-Channel	125W	500V			7A	18/52nS	950pF	1.1 Ом	TO254
SML5085AN	MOSFET	N-Channel	150W	500V			8.5A	20/48nS	950pF	0.85 Ом	TO3
SML5085BN	MOSFET	N-Channel	180W	500V			9.5A	20/48nS	950pF	0.85 Ом	TO247
SML5085CN	MOSFET	N-Channel	125W	500V			8A	18/52nS	950pF	0.85 Ом	TO254
SML601R3BN	MOSFET	N-Channel	180W	600V			7.5A	20/49nS	950pF	1.3 Ом	TO247
SML601R3KN	MOSFET	N-Channel	180W	600V			7.5A	20/47nS	950pF	1.3 Ом	TO220
SML6070CN	MOSFET	N-Channel	150W	600V			9.5A	26/70nS	1800pF	0.7 Ом	TO254
SSH7N60A	MOSFET	N-Channel	160W	600V			7.3A	65nS	1150pF	1.2 Ом	TO-3P
SSH8N55	MOSFET	N-Channel	150W	550V			8A				TO-3P
SSI7N60A	MOSFET	N-Channel	147W	600V			7A	65nS	1150pF	1.2 Ом	I2PAK
SSP10N60A	MOSFET	N-Channel	156W	600V			9A	95nS	1750pF	0.8 Ом	TO-220
SSP7N60A	MOSFET	N-Channel	147W	600V			7A	65nS	1150pF	1.2 Ом	TO-220
SSW7N60A	MOSFET	N-Channel	147W	600V			7A	65nS	1150pF	1.2 Ом	TO-263
STH10NA50	MOSFET	N-Channel	150W	500V			9.6A				TO-218
STP7NA60	MOSFET	N-Channel	125W	600V			7.2A			1.000 Ом	TO-220
STP8NA50	MOSFET	N-Channel	125W	500V			8A			0.850 Ом	TO-220
STP9NA50	MOSFET	N-Channel	125W	500V			8.8A			0.800 Ом	TO-220
STV8NA50	MOSFET	N-Channel	125W	500V			8A			0.850 Ом	PowerSO-10