vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSH10N70A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SSH10N70A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 700V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 10A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT6045CVR MOSFETN-Channel150W600V 11.8A115nS26000.45 ОмSMD2
    SDF10N60 MOSFETN-Channel150W600V 10A 0.6 ОмN/A
    SML6060CN MOSFETN-Channel150W600V 10.5A26/70nS1800pF0.6 ОмTO254
    SML6070CN MOSFETN-Channel150W600V 9.5A26/70nS1800pF0.7 ОмTO254
    SML60C12 MOSFETN-Channel140W600V 12A 2600pF0.45 ОмTO-254
    SSH10N70 MOSFETN-Channel150W700V 10A TO-3P
    SSH8N60 MOSFETN-Channel150W600V 8A TO-3P
    SSP10N60A MOSFETN-Channel156W600V 9A95nS1750pF0.8 ОмTO-220
    STH12N60 MOSFETN-Channel180W600V 12A TO-218
    Яндекс.Метрика