|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML6060CNОсновные параметры полевого транзистора SML6060CN - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 10.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 26/70nS
- Входная емкость (Сiss): 1800pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.6 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO254
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N6912 |
MOSFET | N-channel | 125W | 500V | | | 9A | | 4900pF | 0.8 Ом | TO-3 | 2N6914 |
MOSFET | N-channel | 125W | 500V | | | 9.6A | | 4900pF | 0.6 Ом | TO-3 | 2N6914A |
MOSFET | N-channel | 125W | 500V | | | 8.3A | | 4900pF | 0.8 Ом | TO-3 | 2N6914B |
MOSFET | N-channel | 125W | 500V | | | 10A | | 4900pF | 0.5 Ом | TO-3 | 2N7220 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | 21/72nS | 1300pF | 0.85 Ом | TO254 | 2N7228JV |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 12A | 103nS | 2410 | 0.415 Ом | SMD2 | 2N7228JX |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 12A | 103nS | 2410 | 0.415 Ом | SMD2 | APT6045CVR |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 11.8A | 115nS | 2600 | 0.45 Ом | SMD2 | BFC52 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | | | 9.5A | - | 740pF | 0.85 Ом | TO247 | BUZ45 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 9.6A | - | - | 0.6 Ом | TO3 | BUZ45A |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8.3A | - | - | 0.8 Ом | TO3 | IRF440 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | 30/80nS | 610pF | 1.8 Ом | TO3 | IRF450 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 12A | 35/170nS | 2700pF | 0.5 Ом | TO3 | IRF452 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 12A | - | - | 0.5 Ом | TO3 | IRFI840A |
MOSFET | N-Channel | 134W | 500V | | | 8A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | I2PAK | IRFM440 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | 21/72nS | 1300pF | 0.85 Ом | TO254 | IRFP440A |
MOSFET | N-Channel | 162W | 500V | | | 8.5A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | TO-3P | IRFP452 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 12A | - | - | 0.5 Ом | SOT93 | IRFW840A |
MOSFET | N-Channel | 134W | 500V | | | 8A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | TO-263 | SDF10N60 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 10A | | | 0.6 Ом | N/A | SML501R1BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | | | 9A | 20/48nS | 950pF | 1.1 Ом | TO247 | SML5050CN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 11.5A | 28/66nS | 1800pF | 0.5 Ом | TO254 | SML5085AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 8.5A | 20/48nS | 950pF | 0.85 Ом | TO3 | SML5085BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | | | 9.5A | 20/48nS | 950pF | 0.85 Ом | TO247 | SML5085CN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | 18/52nS | 950pF | 0.85 Ом | TO254 | SML6070CN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 9.5A | 26/70nS | 1800pF | 0.7 Ом | TO254 | SML60C12 |
MOSFET | N-Channel | 140W | 600V | | | 12A | | 2600pF | 0.45 Ом | TO-254 | SSH10N70 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 700V | | | 10A | | | | TO-3P | SSH10N70A |
MOSFET | N-Channel | 150W | 700V | | | 10A | | | | TO-3P | SSH8N55 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 550V | | | 8A | | | | TO-3P | SSH8N60 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 8A | | | | TO-3P | SSP10N60A |
MOSFET | N-Channel | 156W | 600V | | | 9A | 95nS | 1750pF | 0.8 Ом | TO-220 | STH10NA50 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 9.6A | | | | TO-218 | STH12N60 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 600V | | | 12A | | | | TO-218 | STP8NA50 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | | | 0.850 Ом | TO-220 | STP9NA50 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8.8A | | | 0.800 Ом | TO-220 | STV8NA50 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | | 8A | | | 0.850 Ом | PowerSO-10 | |
|
|
|