vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SDF10N60
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SDF10N60

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 10A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.6 Ом
    • Производитель: SOLITRON
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6912 MOSFETN-channel125W500V 9A 4900pF0.8 ОмTO-3
    2N6914 MOSFETN-channel125W500V 9.6A 4900pF0.6 ОмTO-3
    2N6914A MOSFETN-channel125W500V 8.3A 4900pF0.8 ОмTO-3
    2N6914B MOSFETN-channel125W500V 10A 4900pF0.5 ОмTO-3
    2N7220 MOSFETN-Channel125W500V 8A21/72nS1300pF0.85 ОмTO254
    2N7228JV MOSFETN-Channel150W500V 12A103nS24100.415 ОмSMD2
    2N7228JX MOSFETN-Channel150W500V 12A103nS24100.415 ОмSMD2
    APT6045CVR MOSFETN-Channel150W600V 11.8A115nS26000.45 ОмSMD2
    BFC52 MOSFETN-Channel180W500V 9.5A-740pF0.85 ОмTO247
    BUZ45 MOSFETN-Channel125W500V 9.6A--0.6 ОмTO3
    BUZ45A MOSFETN-Channel125W500V 8.3A--0.8 ОмTO3
    IRF440 MOSFETN-Channel125W500V 8A30/80nS610pF1.8 ОмTO3
    IRF450 MOSFETN-Channel150W500V 12A35/170nS2700pF0.5 ОмTO3
    IRF452 MOSFETN-Channel150W500V 12A--0.5 ОмTO3
    IRFI840A MOSFETN-Channel134W500V 8A74nS1190pF0.85 ОмI2PAK
    IRFM440 MOSFETN-Channel125W500V 8A21/72nS1300pF0.85 ОмTO254
    IRFP440A MOSFETN-Channel162W500V 8.5A74nS1190pF0.85 ОмTO-3P
    IRFP452 MOSFETN-Channel150W500V 12A--0.5 ОмSOT93
    IRFW840A MOSFETN-Channel134W500V 8A74nS1190pF0.85 ОмTO-263
    SML501R1BN MOSFETN-Channel180W500V 9A20/48nS950pF1.1 ОмTO247
    SML5050CN MOSFETN-Channel150W500V 11.5A28/66nS1800pF0.5 ОмTO254
    SML5085AN MOSFETN-Channel150W500V 8.5A20/48nS950pF0.85 ОмTO3
    SML5085BN MOSFETN-Channel180W500V 9.5A20/48nS950pF0.85 ОмTO247
    SML5085CN MOSFETN-Channel125W500V 8A18/52nS950pF0.85 ОмTO254
    SML6060CN MOSFETN-Channel150W600V 10.5A26/70nS1800pF0.6 ОмTO254
    SML6070CN MOSFETN-Channel150W600V 9.5A26/70nS1800pF0.7 ОмTO254
    SML60C12 MOSFETN-Channel140W600V 12A 2600pF0.45 ОмTO-254
    SSH10N70 MOSFETN-Channel150W700V 10A TO-3P
    SSH10N70A MOSFETN-Channel150W700V 10A TO-3P
    SSH8N55 MOSFETN-Channel150W550V 8A TO-3P
    SSH8N60 MOSFETN-Channel150W600V 8A TO-3P
    SSP10N60A MOSFETN-Channel156W600V 9A95nS1750pF0.8 ОмTO-220
    STH10NA50 MOSFETN-Channel150W500V 9.6A TO-218
    STH12N60 MOSFETN-Channel180W600V 12A TO-218
    STP8NA50 MOSFETN-Channel125W500V 8A 0.850 ОмTO-220
    STP9NA50 MOSFETN-Channel125W500V 8.8A 0.800 ОмTO-220
    STV8NA50 MOSFETN-Channel125W500V 8A 0.850 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика